Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
Полевой фототранзистор
Предмет
Приборостроение и оптотехника
Разместил
🤓 lissiciecom1987
👍 Проверено Автор24
фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора.
Научные статьи на тему «Полевой фототранзистор»
Полупроводниковые приборы
структуре различают интегральные (микропроцессоры и микросхемы) и дискретные (фотоэлементы, диоды, фототранзисторы...
Среди транзисторов различают следующие виды: биполярные, однопереходные, полевые, IGBT-транзисторы, биполярные...
Полевой транзистор представляет собой прибор для преобразования электрической энергии, в котором электрический
Статья от экспертов
РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО МДП-ФОТОТРАНЗИСТОРА (СЕНСОРНОГО ЭЛЕМЕНТА) ИНФРАКРАСНОГО ДАТЧИКА
Актуальность и цели. В настоящее время для МДП-фототранзисторов отсутствует подробная методика расчета и проектирования за исключением подробного описания структуры и принципа действия. Данные приборы имеют большой потенциальный рынок сбыта как в гражданских, так и военных сферах. Целью работы является разработка методики проектирования сенсорного элемента инфракрасного датчика на базе полевого МДП-фототранзистора. Материалы и методы. Объектом исследования выступает МДП-фототранзистор. Предметом исследования является методика расчета и проектирования МДП-фототранзистора, выполняющего роль инфракрасного датчика. Результаты. Рассмотрены преимущества и недостатки МДП-фототранзистора в качестве фотоприемника. В рамках работы создана математическая модель оценки оптических свойств МДП-фототранзистора. Выведена прямая функциональная зависимость тока стока от падающего потока излучения, а также выполнен расчет основных характеристик устройства. Осуществлено моделирование процесса освещения...
Creative Commons
Научный журнал
Зондовые и оптические исследования микрои наноструктур на основе арсенида галлия
Рассмотрены особенности методов исследования полуизолирующего арсенида галлия, микрои наноструктур на пластине: примесное поглощение, метод токов утечки при примесной подсветке, метод полевого фототранзистора с управлением по подложке, холловские измерения, эллипсометрия, зондовые измерения структур на пластине. Показана возможность контроля технологического цикла изготовления СВЧ микроэлектронных приборов на арсениде галлия с использованием комплекса зондовых и оптических методов исследования.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Приборостроение и оптотехника»
Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
Гелий-3 счетчик
счетчик нейтронов, содержащий в качестве радиатора газ гелий-3.
- Фототранзистор
- Полевыми
- Фототранзистор (Phototransistor)
- Биполярный фототранзистор
- Зависимость полевая (независимость полевая)
- Полевая апробация
- Полевая всхожесть
- Полевые испытания
- Полевые севообороты
- Полевые дороги
- Исследования полевые
- Полевая археология
- Полевое кодирование
- Журнал полевой
- Полевое трассирование
- Исследование полевое
- Полевое исследование
- Полевые роли
- Полевая работа
- Полевое обследование
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
