Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора.
структуре различают интегральные (микропроцессоры и микросхемы) и дискретные (фотоэлементы, диоды, фототранзисторы...
Среди транзисторов различают следующие виды: биполярные, однопереходные, полевые, IGBT-транзисторы, биполярные...
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который состоит из трех областей,...
Особенность биполярного транзистора заключается в том, что между его электронно-дырочными переходами...
IGBT-транзистор – это биполярный транзистор, у которого изолированный затвор.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.
счетчик Гейгера-Мюллера, в котором гасящим агентом является галоген.