Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конформациями называют энергетически различные формы молекул, способные переходить друг в друга в результате...
Любая конформация молекулы отражает лишь ее временное состояние, так как молекулы постоянно переходят...
Стереохимическая конфигурация молекулы при конформационных переходах может как меняться, так и сохраняться...
Левый энантиомер переходит в правый и молекула имеет уже не форму тетраэдра, а плоского квадрата....
Конфигурация сохраняется до достижения в результате вращения планарной формы.
В статье авторы кратко рассматривают способ измерения температуры в планарном p-n-переходе методом сравнения степени нагретости двух тел. Для этого предлагается сопоставлять термодеформации квазидвумерного p-n-перехода на подложке без теплоотвода с термодеформациями контрольного слоя. Термодеформации регистрируются голографической интерферометрией.
параметры светодиодов
Определение 1
Светодиод – это полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом...
Планарная обработка пленки.
Сортировка чипов по категориям - бинирование....
Ширина n-области (база) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в р-область...
Скорость работы фотодиода определяется скоростью разделения носителей p-n перехода, а также его емкостью...
При образовании структуры некоторая часть электронов переходит из металла в полупроводник р-типа.
В рамках континуальной теории исследовано влияние параметра анизотропии сцепления четвертого порядка на индуцированные магнитным полем ориентационные переходы в ферронематических жидких кристаллах. Численно решены уравнения ориентационного равновесия и построены полевые зависимости свободной энергии ферронематика, углов поворота директора и вектора намагниченности для различных значений параметра анизотропии сцепления. Проанализированы типы реализующихся в системе ориентационных переходов и найдены соответствующие поля переходов между ориентационными фазами ферронематика. Зависимость поля равновесного перехода из угловой ориентационной фазы в планарную от параметра анизотропии сцепления найдена численно, а для поля перехода из гомеотропной фазы в планарную - аналитически. Обнаружено, что для всех значений параметра анизотропии, при которых поверхностный потенциал обладает дополнительными минимумами, переходы в планарную фазу являются фазовыми переходами первого рода. Показано, что с...
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве