Время прохождения сигнала в фотоумножителе
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.
двумерный фотонный кристалл на основе планарного оптического волновода, структура которого характеризуется периодическим изменением показателя преломления в двух направлениях в плоскости волновода.
Предложены и экспериментально реализованы способы управления свето-пропусканием одномерного фотонного кристалла с гомеотропно ориентированным жидкокристаллическим слоем в режимах магнитного В-эффекта, а также электро-управляемой ионной модификации поверхности жидкого кристалла. Выполнено численное моделирование спектров пропускания фотоннокристаллической ячейки.
В настоящей работе предложен новый тип геометрии элемента фотонного кристалла с гексагональной решеткой, выполненного в виде ячейки Вигнера-Зейтца. Рассчитаны дисперсионные кривые электромагнитных волн и установлены характеристики запрещенных зон фотонного кристалла с использованием методики разложения по плоским волнам. Показано, что предлагаемая геометрия элемента фотонного кристалла приводит к возрастанию ширины запрещенной зоны. Предложен простой метод изготовления прототипов с использованием негативной электронной литографии.
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.