Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
отжиг металла (изделия) при температурах и с выдержками, обеспечивающими получениe мелкозернистой структуры.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.