общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
$\overrightarrow{E_e}$ находится в главной плоскости, его скорость зависит от направления (главная ось...
Характерные случаи двойного лучепреломления
Допустим, что оптическая ось перпендикулярна поверхности...
Предположим, что оптическая ось кристалла параллельна его поверхности....
В случае если плоскость падения пересекает оптическую ось под углом не равным $90^circ$, картина двойного...
ось параллельна его поверхности, а плоскость падения луча совпадает с главной плоскостью.
В работе рассматриваются методы реализации разнообразных состояний орбитальных угловых моментов (ОАМ) фотонов. В методе коррекции фазы (МКФ) с ОАМ используется поток фотонов с определенной модой углового орбитального момента, в приемном модуле выбираются фотоны с соответствующей модой ОАМ, что позволяет реализовать корректировку системы телекоммуникации. Методика с использованием одноосного кристалла, к которому прикладывается электрическое напряжение, позволяет создавать и выделять несколько состояний ОАМ. Приведен так же метод использования субволновой решетки на основе диэлектрических структур в виде массива нано – волосков. Проведен анализ нескольких методов реализации состояний ОАМ фотонов. Показано, что метод МКФ, при использовании ОАМ, имеет определенные преимущества.
Существуют молекулы с осью $S_n$, хотя у них отсутствует несобственная ось вращения, $i$ или $\sigma$...
У этого соединения нет ни центра симметрии, ни плоскости, но есть зеркально – поворотная ось $S_4$....
при отсутствии асимметрических атомов углерода все равно проявляют оптическую активность....
Молекула будет асимметричной, следовательно обладает оптической активностью....
Аналогичные причины вызывают оптическую активность и в молекуле 2,2'-диокси-1,1'-бинафтила.
Разработаны методы определения угла между двумя точками в пространстве и фокусного расстояния видеокамеры, используемые при оценке летно-технических характеристик летательного аппарата.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
