Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
аустенитизация, при которой нe происходит полного превращения исходной структуры в аустенит.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.