Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
внутренняя стабилизация сверхпроводника, заключающаяся в устранении возмущений механического происхождения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне