Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
значение продольной магнитострикция, когда намагниченность в магнитном материале достигает технического насыщения.
Проведено комплексное исследование фазового состава, атомно-кристаллической структуры, магнитных свойств и сверхтонких взаимодействий сплавов системы Tb0.3Dy0.7Fe2-xCox (x = 0-1.3). Синтезированные сплавы изотипны кубической фазе Лавеса С15 с параметром элементарной ячейки, монотонно уменьшающимся с увеличением содержания кобальта. Как следствие величина магнитострикции насыщения также уменьшается. Однако концентрационные зависимости температуры Кюри, намагниченности насыщения и величины сверхтонкого магнитного поля, измеренного в мёссбауэровском эксперименте, демонстрируют немонотонный (куполообразный) характер.
УДК 620.179.16 Получены экспериментальные данные, демонстрирующие влияние упругого растяжения на эффективность ЭМАП в модельных образцах поликристаллических ферромагнетиков с различным знаком магнитострикции насыщения в зависимости от их магнитного состояния при наличии и отсутствии внутренних напряжений и дано качественное описание полученных зависимостей на основе феноменологической модели ЭМАП.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
радиочастоты 300-3000 ггц.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве