Зона транскристаллизации
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
относительное изменение линейного размера образца из магнитного материала в направлении намагничивания.
Рассмотрены методы построения математических моделей магнитострикционных преобразователей перемещения, основанных на явлении магнитострикции. Рассматриваются магнитострикционные преобразователи перемещения на продольных и крутильных волнах. Приведены различные методы и подходы к моделированию магнитострикционных преобразователей, дан анализ приведенных моделей. Библиогр. 12. Ил. 2.
Определены полевые зависимости коэффициентов продольной, поперечной и объемной магнитострикции для железосодержащих щелочноборосиликатных стекол, содержащих в порах внедренный сегнетоэлектрик KNO[3]. Получена полевая зависимость намагниченности исходного магнитного непористого стекла, на базе которого изготавливались образцы, и определена величина коэрцитивного поля.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.