Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
относительное изменение линейного размера образца из магнитного материала в направлении намагничивания.
Рассмотрены методы построения математических моделей магнитострикционных преобразователей перемещения, основанных на явлении магнитострикции. Рассматриваются магнитострикционные преобразователи перемещения на продольных и крутильных волнах. Приведены различные методы и подходы к моделированию магнитострикционных преобразователей, дан анализ приведенных моделей. Библиогр. 12. Ил. 2.
Определены полевые зависимости коэффициентов продольной, поперечной и объемной магнитострикции для железосодержащих щелочноборосиликатных стекол, содержащих в порах внедренный сегнетоэлектрик KNO[3]. Получена полевая зависимость намагниченности исходного магнитного непористого стекла, на базе которого изготавливались образцы, и определена величина коэрцитивного поля.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.