Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
векторная величина для магнитного диполя, ассоциируемая с элементарным контуром электрического тока, равная произведению этого тока на поверхность, охватываемую контуром тока, причем направление магнитного момента нормально плоскости контура и связано с направлением тока в контуре правилом правоходового винта.
Магнитный диполь характеризуется магнитным моментом ($\overrightarrow{p_m}$), как электрический диполь...
моментом магнитного диполя....
магнитного момента....
диполь в поле другого диполя, зависит от их взаимной ориентации магнитных моментов....
момент магнитного диполя.
На основе численного анализа исследованы системы трех и четырех шарообразных тел, обладающих дипольным магнитным моментом. Показано, что при исходном состоянии с нулевым суммарным магнитным моментов под воздействием переменного магнитного поля устанавливаются различные режимы индуцированного магнитного момента, в том числе квазистатические состояния. Выявлены существенные отличия данных режимов, отвечающих разным системам. Проведены исследования величины и направления магнитного момента системы, а также состояний динамической бистабильности.
Магнитные моменты электрона
Рассмотрим атом....
Магнитные моменты электрона....
(спином);
собственным магнитным моментом....
поле и взаимодействует с внешними магнитными полями подобно магнитному диполю....
Магнитное поле молекулярного тока запишем, ориентируясь на электрическое поле диполя (магнитный диполь
Проведен численный анализ дипольных решеток, представляющие собой квадратные массивы магнитных диполей. Показано, что при наличии обменного взаимодействия между магнитными моментами основными равновесными состояниями являются конфигурации с ориентацией диполей вдоль диагонали системы, вдоль ее стороны, а также конфигурации с вихревыми структурами, которые могут отличаться по расположению центра вихря. Рассмотрены условия переходов между равновесными конфигурациями с помощью нормального поля, действующего на часть входящих в систему диполей.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
набор из символов принятого алфавита.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве