Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
относительное уменьшение размеров порошковой формовки во время спекания.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.