Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
нагрев и выдержка порошковой формовки при температуре ниже точки плавления основного компонента с целью обеспечения заданных механических и физико-химических свойств.
Представлены результаты исследования влияния содержания никеля на твердость и пористость инфильтрованных бронзой порошковых материалов железо-никель. Проведена многокритериальная оптимизация технологических параметров инфильтрации, обеспечивающая повышенный комплекс механических свойств псевдосплавов железо-никель-бронза. Введение 2 4 % по массе никеля в шихту на основе восстановленного порошка железа (ПЖВ 3.160.26) обеспечивает снижение пористости инфильтрованного материала, повышение твердости поверхностных слоев и усадки порошковой формовки в процессе инфильтрации, совмещенной со спеканием.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.