Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
спекание порошковых формовок в две стадии при различных температурах; первая стадия (предварительное спекание) при более низкой температуре имеет целью удаление смазок, связующих и частичное скрепление порошка; вторая стадия (окончательное спекание) при оптимальной температуре для основной составляющей порошковой смеси имеет целью прочное соединение частиц порошка и получение материала с требуемыми свойствами.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
полимер этилена [этена].