Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дополнительное спекание спеченных формовок с целью повышения плотности и улучшения механический свойств.
Изучали спекание нитрида кремния в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Исходная смесь содержала порошки нитрида кремния, кремния и добавки оксидов. Образцы формовали методами прессования и парафинового литья. Приведены данные микроскопии, механические и иные свойства спеченных образцов. Проведено сравнение результатов первого и повторного спеканий.
В статье рассматривается процесс спекания офлюсованного агломерата с использованием металлургических отходов. При производстве офлюсованного агломерата использовались доменный шлам и чугунная стружка. Изучено качество офлюсованного агломерата при добавлении металлургических отходов. Повторное использование металлургических отходов позволяет сократить потребление исходных материалов, тем самым увеличить эффективность использования природных ресурсов.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
индексы отражающей плоскости n -порядка.