Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
отношение объема пор, сообщающихся с внешней средой, к объему порошковой формовки.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
полимер стирола.