Исследованы вольт-амперные характеристики n +CdS-nCdS-nSi структуры при различных температурах. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного и квадратичного роста тока с напряжением. Показано, что n +CdS–nCdS-nSi структуры в пропускном направлении тока при малых уровнях освещения работают как инжекционный фотодиод. Такая структура при лазерном освещении с λ=0.625 μm и мощностью P=1.2 μW/cm 2 имеет спектральную чувствительность 2042 A/W, напряжении смещения 10 V. При облучении белом светом энергией W=3,6·10 -2 μW·s она имеет интегральную чувствительность ≈21 A/lm (2310 A/W) при напряжении смещения U=10V.
Ранее для реализации оптических межсоединений в интегральных схемах были предложены инжекционные лазеры с двойными AIIIBV наногетероструктурами, выполняющие функции источников и модуляторов излучения. Чтобы преобразовать короткие оптические импульсы, генерируемые лазерами-модуляторами, в электрические сигналы, необходимы технологически совместимые фотодетекторы с субпикосекундным временем отклика. Поскольку традиционные конструкции фоточувствительных полупроводниковых приборов не удовлетворяют предъявляемым требованиям, разработан перспективный метод построения быстродействующих фотодетекторов на основе принципа управляемой передислокации максимумов плотности носителей заряда в специально организованных квантовых областях. Данные оптоэлектронные приборы содержат продольный фоточувствительный p-i-n переход и поперечную управляющую гетероструктуру, в которую входят слои, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах, и два управляющих перехода. До наступлени...