Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
мощность, подводимая к излучателю лазера.