Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны; переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны.
В настоящей работе, на основе экспериментальных данных, приведены результаты исследования оптико-электрических характеристик двухбарьерных фотодиодных Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структур, используемых в качестве приемников оптических сигналов, также приводятся их усилительные характеристики, а также рассмотрена возможность их применения в измерителях затухания оптической мощности.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
контакт-деталь, жестко или упруго связанная с неподвижной частью устройства.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.