Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
полупроводникового диода, которые также необходимо определять в процессе его исследования, относятся:
Пробивное...
напряжение....
к диоду в обратном напряжении....
Uпроб - напряжение пробоя.
The assembly of sixteen element matrix based on micropixel avalanche photodiodes of the type MAPD-3NM are presented. Measurements of the I-V characteristics were carried out, as a result of which the breakdown and operating voltages were determined. Photodiodes were selected with the same operating voltage for homogeneous assembly. The dark current and photocurrent of devices are measured.
Проведено моделирование конструкции охранной области и величины напряжения пробоя лавинного фотодиода со структурой диода Рида. Показано влияние полевой обкладки с системой охранных колец на область пробоя n+-p перехода и предложен метод ее реализации. Установлен требуемый профиль примеси в эпитаксиальной пленке при концентрации примеси в подложке ~2,5·1014 см-3, определены пробивные напряжения диода с охранными кольцами, распределение в нем электрического поля и области пробоя.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
оптический спектральный прибор, предназначенный для визуального наблюдения спектров.