Исследовано влияние ультразвукового воздействия на плотность электронных состояний, локализованных на межфазной границе раздела Si-стекло. Предложена методика определения величин скорости поверхностной и объемной генерации носителей заряда, на основе расчета временной зависимости ширины области пространственного заряда (ОПЗ) и сравнении её с экспериментальной зависимостью. Ультразвуковая обработка структур Al-n-Si стекло Al, частотой 2.5 мГц мощностью 0.5 Вт, в течение 40 минут приводит к уменьшению скорости формирования заряда инверсионного слоя. Это обусловлено уменьшением интегральной плотности электронных состояний, локализованных на межфазной границе раздела полупроводник-стекло, при этом энергетический спектр объемных электронных состояний в полупроводнике не меняется.
Изучено поведение электрохимических систем, организованных путем непосредственного контакта анода щелочного металла Li и катода органического полупроводника, выбранного из ряда тиопирилиевых и пиридиниевых гетероциклических соединений. Обнаружено, что при контакте формируется переходный слой электронный диэлектрик, обеспечивающий стабильное значение ЭДС и выполняющий функции униполярного проводника по ионам Li+ в электрическом поле. Методами инверсионной вольтамперометрии и хронопотенциометрии установлено, что поведение таких систем определяется как граничными эффектами органического полупроводника, формирующего контактный слой на поверхности щелочного металла, так и его объемными свойствами, связанными с внутрии межмолекулярным переносом заряда.