Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.
Открытия и исследования фотопроводимости - Смит, 1873 г.
Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) индивидуальных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs на подложках SiO2/Si, а также зависимость ФП ННК от интенсивности фотовозбуждения и влияние на спектры ФП заращивания ННК слоем SiOx. Показано, что ФП ННК из сильнолегированного GaAs имеет барьерную природу, тогда как ФП ННК, обеднённых носителями заряда, определяется скоростью поверхностной рекомбинации. Обнаружен эффект модуляции проводимости ННК поверхностной фотоЭДС в подложке SiO2/Si при фотовозбуждении в области собственного поглощения Si.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.