Вспышка (мигание) изображения ЭОП
кратковременное увеличение (уменьшение) яркости изображения на выходе электронно-оптического преобразователя.
свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.
Открытия и исследования фотопроводимости - Смит, 1873 г.
Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) индивидуальных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs на подложках SiO2/Si, а также зависимость ФП ННК от интенсивности фотовозбуждения и влияние на спектры ФП заращивания ННК слоем SiOx. Показано, что ФП ННК из сильнолегированного GaAs имеет барьерную природу, тогда как ФП ННК, обеднённых носителями заряда, определяется скоростью поверхностной рекомбинации. Обнаружен эффект модуляции проводимости ННК поверхностной фотоЭДС в подложке SiO2/Si при фотовозбуждении в области собственного поглощения Si.
кратковременное увеличение (уменьшение) яркости изображения на выходе электронно-оптического преобразователя.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
электрическая цепь, которая может проявлять резонанс.