Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
изменение электрической проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения.
В статье изложены результаты исследования электрофизических свойств аномально фотопроводящих пленок аморфного селена, предложена модель аномально фотопроводящей системы.
В работе представлены результаты исследования релаксации фотопроводимости полупроводниковых монокристаллов типа CuGaSe2(Zn, Ge). Проанализированы релаксационные кривые. Обнаружено, что в кристаллах CuGaSe2(Zn, Ge) имеет место долговременная релаксация фотопроводимости, которая носит сложный характер и может быть объяснена наличием мелких ловушек глубиной залегания порядка 0,01 эВ и поверхностных состояний.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
конденсатор, допускающий смену полярности напряжения на его выводах.