Вспышка (мигание) изображения ЭОП
кратковременное увеличение (уменьшение) яркости изображения на выходе электронно-оптического преобразователя.
фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения.
Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Показано, что наблюдаемый гистерезис спектральной зависимости фотопроводимости полупроводника может быть обусловлен оптической перезарядкой r-центра глубокого компенсированного собственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором.
Приведены результаты экспериментальных исследований оптических, транспортных свойств и фотопроводимости поверхности арсенида галлия, покрытой пленкой трифенилметанового (кристаллический фиолетовый) и ксантенового (флуоресцеин) красителей. Для кристаллического фиолетового обнаружен эффект фотосенсибилизации в спектральной области, не совпадающей с полосой собственного поглощения красителя. Обсуждаются возможные механизмы спектральной сенсибилизации поверхности полупроводника.
кратковременное увеличение (уменьшение) яркости изображения на выходе электронно-оптического преобразователя.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
устройство, преобразующее двоичный код в код "1 из N".