Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения.
Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Показано, что наблюдаемый гистерезис спектральной зависимости фотопроводимости полупроводника может быть обусловлен оптической перезарядкой r-центра глубокого компенсированного собственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором.
Приведены результаты экспериментальных исследований оптических, транспортных свойств и фотопроводимости поверхности арсенида галлия, покрытой пленкой трифенилметанового (кристаллический фиолетовый) и ксантенового (флуоресцеин) красителей. Для кристаллического фиолетового обнаружен эффект фотосенсибилизации в спектральной области, не совпадающей с полосой собственного поглощения красителя. Обсуждаются возможные механизмы спектральной сенсибилизации поверхности полупроводника.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
электрическая лампа, предназначенная для накачки лазера.