Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
свойство вещества изменять свою электропроводность под действием оптического излучения.
Открытия и исследования фотопроводимости - Смит, 1873 г.
Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) индивидуальных нитевидных нанокристаллов (ННК) GaAs на подложках SiO2/Si, а также зависимость ФП ННК от интенсивности фотовозбуждения и влияние на спектры ФП заращивания ННК слоем SiOx. Показано, что ФП ННК из сильнолегированного GaAs имеет барьерную природу, тогда как ФП ННК, обеднённых носителями заряда, определяется скоростью поверхностной рекомбинации. Обнаружен эффект модуляции проводимости ННК поверхностной фотоЭДС в подложке SiO2/Si при фотовозбуждении в области собственного поглощения Si.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрическая лампа, предназначенная для накачки лазера.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.