Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
регистрирующий прибор для измерения зависимости разности потенциалов электрического поля головного мозга от времени.
Определение 1
Электроэнцефалография — раздел электрофизиологии, изучающий закономерности суммарной...
Механизмы электроэнцефалографии
Замечание 1
Электрический заряд мозга поддерживается миллиардами...
Подготовка к электроэнцефалографии
ЭЭГ, как правило, выполняется в качестве одной из процедур в серии
Внедрение в клинику современных технологий, таких как электроэнцефалография, позволяет оценить нейрофункциональные паттерны паркинсонизма и болезни Паркинсона, определить степень нарушения мозговых функций при ряде заболеваний нервной системы, подобрать эффективное лечение.
Основные методы обследования в нейрофизиологии:
ЭЭГ (электроэнцефалография)....
Определение 2
Электроэнцефалография (ЭЭГ) является методом, позволяющим записать колебания электрических...
детей и взрослых, которые регистрируются при помощи приборов, разработанных специально для этой цели, - электроэнцефалографов
Рассматривается применение для анализа и математической аппроксимации ЭЭГ-сигналов параметрических моделей авторегрессии-скользящего среднего (АРСС) вычислительные методы, статистические аспекты, границы применимости.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.