Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
продавливание порошковой формовки при температуре выше температуры рекристаллизации материала через отверстие, определяющее форму и размеры поперечного сечения изделия.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
пластмасса с использованием стирола или сополимеров стирола в сочетании с другими мономерами, причем стирол присутствует в наибольшем количестве.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне