Запрещенная энергетическая зона
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
неоднозначная зависимость поляризованности диэлектрика от напряженности внешнего электрического поля при изменении последнего.
Что такое диэлектрический гистерезис
Определение
У сегнетоэлектриков можно наблюдать диэлектрический...
Это и есть диэлектрический гистерезис сегнетоэлектрика....
Так, получается замкнутая кривая $AB'A'BA$, которая носит название диэлектрической петли гистерезиса....
Петля гистерезиса
Петлю гистерезиса легко получить на экране осциллографа....
проницаемость обычного диэлектрика, ${\varepsilon }_S$ -- диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика
В работе представлены результаты исследований диэлектрических характеристик крови, 20 %-ного р-ра человеческого альбумина, 40 %-ного раствора глюкозы и 0,9 %-ного раствора NaCl, проведенных в температурном диапазоне 30÷42 °С на частоте 0,6 ГГц. При температуре +37 °С для крови и альбумина выявлено скачкообразное возрастание показателя поглощения. Обнаружен гистерезис температурных зависимостей показателей поглощения крови и раствора альбумина в циклах нагревания-остывания. Добавление в р-р альбумина наночастиц углерода и оксида железа ведет к изменению температурных зависимостей по сравнению с р-ром альбумина, не содержащего наночастиц.
К основным параметрам диэлектрических материалов относятся:
Относительная диэлектрическая проницаемость...
Диэлектрические потери....
Потери в диэлектрических материалах характеризуются тангенсом угла диэлектрических потерь:
$tgf = Iak...
Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
Величина потерь на гистерезис зависит от частоты перемагничивания...
и значения максимальной индукции, которые определяются площадью петли гистерезиса.
В данной работе были собраны измерительные установки трех методов определения параметров петель диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектриков: метод Сойера-Тауэра, метод шунта и метод виртуальной земли. Схемы методов шунта и виртуальной земли были собраны с аппаратным интегратором, также было проведено программное интегрирование выходного сигнала. Были проведены измерения с различным количеством усреднений выходного сигнала, результаты которых были подвергнуты сравнительному анализу. Также проверяется применимость данных методов для частотных и высоковольтных измерений. В работе наглядно показаны достоинства и недостатки приведенных методов определения параметров петель гистерезиса сегнетоэлектриков.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве