Вальтер Герман Шоттки ($1886 — 1976$) — немецкий физик.
Биография
Вальтер Герман Шоттки родился $23$ июля $1886$ года в Цюрихе, Швейцария.
Он был сыном математика Фридриха Германа Шоттки. Уолтер был одним из двух сыновей, а также у него была сестра. Он родился через $4$ года после назначения отца в Цюрихский университет в качестве профессора математики. Семье Шоттки пришлось вернуться в Германию в $1892$ году, когда Фридрих Шоттки был назначен на должность в университете Марбурга.
В $1904$ году он окончил в Берлине гимназию. Шоттки получил степень бакалавра в области физики в $1908$ году в берлинском университете. Четыре года спустя, ему дали докторскую степень в университете Берлина, где он обучался с такими великими физиками того времени, как Генрих Рубенс и Макс Планк.
После завершения своего обучения он преподавал физику как один из профессоров в университете в Ростоке, Германия. Он занимал этот пост с $1923$ по $1927$ года. Затем Шоттки проводил лекции в университете Вюрцбурга с $1919-1923$ года, прежде чем стать профессором в университете Ростока.
После его карьеры как профессора и ученого, он работал в качестве одного из промышленных исследователей в компании Siemens & Halske (Сименс унд Хальске), где ему была предоставлена возможность работать в Берлине. Во время своего пребывания там, он проводил свои исследования по физике полупроводников. К сожалению, не было никаких продуктов, разработанных на основе его исследований, но он также изучал электронику, где он был способен работать с вакуумом.
Вальтер Герман Шоттки умер в Германии $4$ марта $1976$ года.
Научные достижения
Одним из изобретений Шоттки был ленточный микрофон, который он придумал совместно с Эрвином Герлахом.
Наверное, одним из самых заметных научных достижений и вкладов Шоттки, была его формула, которая помогает вычислить энергию взаимодействия между определенным точечным зарядом и другой плоской металлической поверхностью. Эта работа Шоттки была основана на более ранних работах Лорда Кельвина в термодинамике.
Барьер Шоттки играет важную роль в теориях термоэлектронной эмиссии и автоэлектронной эмиссии. Применение поля вызывает уменьшение барьера, и, таким образом, усиливает ток эмиссии в термоэлектронной эмиссии. Это называется "эффект Шоттки", а полученный режим эмиссии называется "эмиссией Шоттки".
Позже, в контексте полупроводниковых приборов, было высказано предположение о том, что подобный барьер должен существовать на стыке металла и полупроводника. Такие барьеры в настоящее время широко известны как барьеры Шоттки, а также эти соображения применимы и к переносу электронов через них, которые аналогичны более старым соображениям о том, что электроны испускаются из металла в вакуум. (В принципе, существует несколько режимов выбросов, для различных комбинаций поля и температуры. Различные режимы регулируются различными приближенными формулами).
Когда все было проверено, установлено, что барьеры могут действовать (асимметрично) как особая форма электронного диода, теперь это называется «диодом Шоттки».
Хотя ранее Шоттки неправильно предположил, что полевая эмиссия электронов происходит, когда барьер снижен до нуля. Дело в том, что этот эффект обусловлен волно-механическим туннелированием как пояснил Нордхейм и Фаулер в $1928$ году. Несмотря на ошибочные предложения Шоттки, барьер стал стандартом, используемым для туннельного барьера.
В $1936$ году Шоттки был награжден медалью Хьюза от лондонского Королевского общества за открытие шрот-эффекта (спонтанных изменений тока в высокотемпературных вакуумных газоразрядных трубках).
Благодаря его достижениям, институт Вальтера Шоттки в Германии был назван в его честь.
