Исторические этапы развития полупроводниковой электроники

Полупроводниковые приборы

К полупроводниковым приборам относятся:

1. Датчики Холла.
2. Терморезисторы.
3. Приборы с зарядовой связью.
4. Интегральные схемы.
5. Транзисторы.
6. Тиристоры.
7. Фототиристоры.
8. Полупроводниковые СВЧ-приборы.
9. Оптоэлектронные приборы.
10. Полупроводниковые диоды.

История развития полупроводниковой электроники

В истории развития полупроводниковой электроники можно выделить следующие значимые события и даты:

1. 1947 год. В 1947 году был создан первый транзистор американскими учеными Бардин, Школи и Бреттейном. Данное открытие стало началом полупроводниковой эры, которое подарило большое количество типов транзисторов, диодов и интегральных схем.
2. 1948-1950 годы. В 1946 году физик Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей электрического тока в полупроводниках. Красиловым были разработаны диоды для радиолокационных станций. В Советском Союзе была опубликована статья Красилова и Мадояна о кристаллических диодах. Также образцы германиевых транзисторов были разработаны Калашниковым, Тучкевичем, Вавиловым и другим учеными.
3. 1955 год. Шокли основал компанию Shockley Semiconductor, в которой молодые ученые занимались разработкой германиевых и кремниевых транзисторов.
4. 1956 год. Шокли, Бардин и Браттейн получили Нобелевскую премию за исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта.
5. 1957 год. Группа ученых приступила к разработке технологии массового изготовления кремниевых транзисторов по методу двойной диффузии и химического травления.
6. 1958 год. К данному времени разработками полупроводников независимо занимались несколько компаний. Килби и Нойс разработали почти идентичную модель интегральной схемы. Главное отличие - Килби использовал германий, а Нойс кремний.
7. 1959 год. В этом году Килби и Нойс отдельно друг от друга получили патенты на свои изобретения, что ознаменовало начало противостояния двух компаний, закончившееся созданием совместной лицензии на производство чипов.
8. 60-е годы. Компания Fairchild Semiconductor Corporation запустила чипы в свободную продажу. Такие чипы стали сразу использоваться в производстве калькуляторов и компьютеров, заменив транзисторы, что способствовало увеличению производительности и уменьшению размеров. В 60-е год было основано много компаний, в 1961 году Ameclo, из которой выросли Maxim, Intersil и другие. В 1968 годы Нойсом и Муром была основана компания Intel. В 1963 году в Советском Союзе был создан центр микроэлектроники. Здесь Щиголем был разработан планарный транзистор, а также его бескорпусный аналог. В 1964 году на заводе «Ангстрем» была создана первая интегральная схема «Тропа». В 1966 году в НИИ «Пульсар» начал свою работу первый экспериментальный цех по производству планарных интегральных схем.
9. 70-е годы. Данное десятилетие отметилось ростом рынка электронных компонентов. Строились заводы по производству микросхем. Номенклатура полупроводников расширялась, появились диоды, высокочастотные транзисторы, цифровые и аналоговые микросхемы, тиристоры. В 1973 году были созданы интегральные схемы для наручных часов со степенью интеграции 1500 транзисторов на кристалл. Данный этап отмечен таким знаковым событием, как появление инструментов автоматизации.
10. 80-е годы. Под руководством Кэмпбелла была создана первая 64К EEPROM с единственным напряжением питания +5. На заводе «Микрон» была изготовлена 100 000 000 интегральная микросхема. В 1983 году в НИИМЭ был организован выпуск базовых матричных кристаллов. В 1984 году был разработан первый персональный компьютер в Советском Союзе.
11. 90-е годы. Данное десятилетие характеризуется наращиванием объемов производства полупроводников, происходит большая интеграция микросхем.
12. 2000-е годы. Алферов был удостоен Нобелевской премии за основополагающие работы в области коммуникационных и информационных технологий. В настоящее время особое внимание уделяется микроминиатюризации полупроводниковых приборов. В 2006 году был создан транзистор из одиночной молекулы углерода, а в компании IBM создали полнофункциональную интегральную схему, основой которой является углеродная нанотрубка.