Линейная скорость роста
скорость увеличения линейного размера кристалла.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
Собственная проводимость полупроводников
В полупроводниках основная зона разделена с зоной возбужденных...
Основную зону полупроводника называют валентной зоной, зону возбужденных состояний -- зоной проводимости...
При T=0 К валентная зона заполнена целиком, при этом зона проводимости свободна....
Эти электроны в зоне проводимости проводят ток....
Примесная проводимость полупроводников
Электрическая проводимость полупроводников, которая вызвана наличием
Silicon heterostructure solar cells, particularly Heterojunction with Intrinsic Thin layer (HIT) cells, are of recommended silicon cells in recent years that are simply fabricated at low processing temperature and have high optical and temperature stability and better efficiency than homojunction solar cells. In this paper, at first a relatively accurate computational model is suggested for more precise calculation of the thermal behavior of such cells. In this model, the thermal dependency of many parameters such as mobility, thermal velocity of carriers, band gap, Urbach energy of band tails, electron affinity, relative permittivity, and effective density of states in the valence and conduction bands are considered for all semiconductor layers. The thermal behavior of HIT solar cells in the range of 25-75 °C is studied by using of this model. The effect of the thickness of different layers of HIT cell on its external parameters has been investigated in this temperature range, and ...
Полупроводники
Определение 1
Полупроводник – это материал, который по своей удельной проводимости...
Полупроводник представляет собой кристаллическое вещество, у которого ширина запрещенной зоны порядка...
Полупроводники классифицируются по:
Характеру проводимости....
Согласно данному признаку полупроводники делятся на полупроводники с собственной проводимостью и проводники...
в зону проводимости, таким образом став свободными.
Тенденция снижения себестоимости производства и повышения эффективности свечения светодиодов требует определенных изменений. Сравнение материалов для основы изготовления светодиода указывает на преимущества кремниевой подложки, а не сапфировой. Преодоление проблемы запрещенной зоны разрешается путем создания кремниево-германиевого сплава.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве