разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами.
в заполнении разрешенных зон....
Зона, заполненная электронами целиком, называется валентной....
Металлы, диэлектрики и полупроводники различаются степенью заполнения валентной зоны электронами и шириной...
У диэлектриков первая, незаполненная зона, отделена от нижней целиком заполненной зоны широкой запрещенной...
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной
В приближении барьера бесконечной высоты изучены заполнения подзоны квантовой ямы InAs/AlSb в зависимости от полной двумерной концентрации электронов. Зоны проводимости полупроводника InAs описывается двухзонной моделью Кейна. Полученные результаты согласуется с экспериментальными данными.
В отношении зонной теории различие электрических свойств проводников, диэлектриков и полупроводников...
Разницей в заполнении электронами разрешенных энергетических зон....
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника....
Переход электронов в свободную зону образует в заполненной зоне вакантные места.
Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности и электропроводности пленок диоксида ванадия (VO2) при фазовом переходе полупроводник-металл. На основе представлений о наличии широкого распределения зерен пленки по размерам и асимметрии элементарных петель гистерезиса отдельных кристаллитов пленки предложена последовательная модель формирования главной петли гистерезиса физических свойств пленок VO2. В рамках предложенной модели продемонстрирована возможность адекватной интерпретации экспериментально наблюдаемых петель гистерезиса в пленках VO2 в различных условиях проведения эксперимента. Методом заполнения диоксидом ванадия опаловых матриц синтезированы нанокомпозиты, обладающие фотонными свойствами, и обладающие фазовым переходом полупроводник-металл в области температур 55-75 оС. На базе исследований оптических свойств таких нанокомпозитов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной в видимой области спектра, энергетическое поло...
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
закалка, осуществляемая путем охлаждения в струях жидкости, обычно воды.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
