Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
углубление на поверхности полированного шлифа, возникающее при травлении, иногда в месте выхода на поверхность дислокаций.
Исследованы возможности выделения фрагментов контуров ямок травления дислокации на цифровом изображении пластины полупроводника на примере арсенида галлия. Разработаны метод фильтрации бинаризованных фрагментов ямок травления, метод удаления контуров микродефектов, а также критерии для выделения основных значимых фрагментов контуров. Приводится пошаговое описание методов.
Изучены морфология и микрорельеф поверхности алмазов из первого уральского коренного месторождения «Ефимовское». Наряду с признаками значительного растворения выявлены специфические ямки травления и отрицательная дисковая скульптура, являющиеся типоморфным признаком алмазов из уральских месторождений. На основе анализа выявленных морфологических особенностей реконструированы основные события истории уральских алмазов образование плоскогранных форм в мантийных условиях, механические деформации и объемное растворение при подъеме мантийного диапира, травление флюидонасыщенным лампроитовым (?) расплавом в его вскипании в ходе извержения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве