Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
область дислокации, внутри которой не соблюдаются законы линейной теории упругости.
Его теория, теперь известная как модель Френкеля — Конторовой, и играет важную роль в изучении дислокаций...
$1936$ году он был первым, кто попытался построить статистическую теорию тяжелых ядер, рассматривая ядро
При низких (5 К) температурах продемонстрирована перестройка тонкой структуры линий дислокационной микрофотолюминесценции в теллуриде кадмия, наблюдаемая с уменьшением плотности мощности оптического возбуждения. Для каждой из трех исследованныхполос Y1 (∼1.47 эВ), Y2 (∼1.49 эВ) и Y3 (∼1.51 эВ) характер этой перестройки указывает на существование перехода от электронно-дырочной плазмы к экситонным состояниям. Установлено, что тонкая структура полосы Y3 при плотностях возбуждения ∼0.1-0.01 Вт/см2 обнаруживает признаки формирования метастабильных состояний, формирующихся с участием дислокационного ядра.
значительные напряжения, объем кристалла делится на небольшие участки, на границах концентрируются дислокации...
Определение 1
Дислокация - это линейный дефект или нарушение кристаллической решетки твердого тела...
Это упругое ядро позволяет назвать стадию работы упруго-пластической....
Полное исчерпание несущей способности наступит, когда высота ядра упругости будет равна 0, то есть пластификация
Приведено замкнутое решение задачи теории упругости о равновесии полуплоскости, в которой образована прямолинейная дислокация сдвига. Предполагается, что ядро дислокации лежит внутри области, а линия сдвига пересекает границу полуплоскости. Рассматривается применимость полученного решения к оценке напряженного состояния земной коры в окрестности дизъюнктивных дислокаций.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
полимер винилацетата.