Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы

Расчет показателей стойкости работы цифровых микросхем в САПР

Представлена методика проектирования радиационно-стойких интегральных микросхем в системах автоматизированного проектирования и приведены сравнения с экспертными данными, на которые воздействуют такие виды радиаций как гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения, а так же рассмотрено воздействие нейтронного импульса, которые влияют, в значительной степени, на коэффициенты усиления транзисторов. Представляются различные виды мощностных доз, которые воздействуют на кристаллы интегральных микросхем с учетом реальной формы импульса искусственного интеллекта. Рассмотрены численные расчеты величин ионизационного тока в база-коллекторном переходе, которые позволяют предварительно рассчитать мощность дозы гамма-, рентгеновского и нейтронного излучения. Приведены расчеты значений ионизационного тока, массивов значений с установленным шагом квантования, а так же основные параметры макромоделирования. Определены всевозможные реакции интегральных микросхем на воздействие искусственного интел...