Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.