Гипервысокие частоты
радиочастоты 300-3000 ггц.
разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания интегральной микросхемы.
радиочастоты 300-3000 ггц.
контакт-деталь, жестко или упруго связанная с неподвижной частью устройства.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.