Внеосевая цифровая голограмма
цифровая голограмма, полученная во внеосевой схеме.
расходомер жидкости (газа), принцип действия которого основан на зависимости параметров колебаний упругого элемента, возникающих под влиянием потока, от расхода жидкости (газа).
Рассмотрены достоинства, разработанных автором оригинальных расходомеров сыпучих материалов, работающих в составе автоматических вибрационных бункерных загрузочных устройствах. В конструкции расходомеров используются преобразователи амплитуды колебаний бункера в электрический сигнал на основе магнитоэлектрических датчиков, фотоприемников, датчиков амплитудной и, частотной модуляции. Расходомеры обеспечивает высокую точность измерения скорости выдачи сыпучих материалов.
В связи с разработкой методики измерения параметров потоков «жидкость-газ» кориолисовыми массовыми расходомерами (КМР) предпринята попытка оценить влияние присутствия пузырьков газа на параметры колебаний измерительной трубки КМР. Разработана балочная конечноэлементная модель прямой трубки, реализованная средствами пакета MATLAB. Поток флюида описывается в 1D-приближении, присутствие газового пузырька моделируется локальным (с точностью до размера конечного элемента) изменением плотности потока в месте расположения пузырька в данный момент времени. Возбуждение поперечных колебаний трубки осуществляется с помощью внешней гармонической силы, приложенной в центре трубки. Частота возбуждения задается равной частоте собственных колебаний заполненной трубки с пузырьком. Выполнена серия численных экспериментов, в которых варьировались объемная доля газовой фазы и скорость флюида. Выявлена зависимость от этих факторов обусловленного эффектом Кориолиса фазового сдвига между колебаниями плеч ...
цифровая голограмма, полученная во внеосевой схеме.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.