Уравнение Ричардсона, формула Ричардсона

ориентированное нарастание слоя одной кристаллической фазы на определенным образом ориентированной монокристаллической подложке - другой кристаллической фазе; различают гомоэпитаксию - ориентированное нарастание эпитаксиального слоя на подложке при небольшом различии составов подложки и слоя (на доли процента) и гетероэпитаксию - ориентированное нарастание кристаллического слоя на „чужой” подложке в большинстве случаев при абсолютном различии составов подложки и слоев.

явление выделения или поглощения теплоты в месте контакта двух разнородных металлов или полупроводников при прохождении через контакт электрического тока (за счет изменения энергии носителей тока при переходе из одного вещества в другое); относится к группе термоэлектрических эффектов.

разность концентраций донорной и акцепторной примесей.