Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
мощность, поглощаемая в единице массы магнитного материала и рассеиваемая в виде тепла при воздействии на материал меняющегося во времени магнитного поля.
Полные потери мощности в магнитных элементах рассчитываются по формуле:
$ Δ P = Δ Pk+ Δ Pc$
где, Δ Pk...
– потери мощности, возникающие в активных сопротивлениях обмотки; Δ Pc – потери мощности, которые возникают...
для любой катушки выглядит следующим образом:
$j = √ Δ Pk / (Vk*pk*кзк)$
где: рк — удельное сопротивление...
Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
где: Gc – вес магнитопровода; рсо — удельные потери мощности...
в материала, из которого сделан магнитопровод; кр — коэффициент удельных потерь в разъемных магнитопроводах
В данной статье раскрываются основные современные требования, предъявляемые к производству электротехнической изотропной стали с особо низкими удельными магнитными потерями. Особое внимание уделено анализу мирового опыта по достижению требуемого уровня значений содержания примесных химических элементов, таких как C, S, N и Ti при производстве электротехнической стали в конверторных цехах.
Диэлектрические потери....
Потери в диэлектрических материалах характеризуются тангенсом угла диэлектрических потерь:
$tgf = Iak...
, удельная объемная энергия, температурный коэффициент магнитной проницаемости, потери в диэлектрике,...
Потери на вихревые токи зависят от удельного электрического сопротивления материала....
Величина удельной объемной энергии используется для оценки твердых магнитных материалов:
$W = 0.5*(Bd
Статья посвящена изучению зависимости удельных магнитных потерь P v0 от амплитуды магнитной индукции В т в стандартных образцах (СО) свойств электротехнической стали. Показано, что эта зависимость имеет степенной характер P v0 = а(В т) ъ. Установлены параметры этой зависимости а и Ъ для 30 экземпляров стандартных образцов трех утвержденных типов СО. Оценены неопределенности измерения P v0, обусловленные влиянием В т на P v0.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве