Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
ток, стекающий в землю через место замыкания.