Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.