Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
радиочастоты 30-300 ггц.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.