Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.