Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
упрочненное стекло, полученное путем нагрева и последующего охлаждения базового стекла, имеющее характерный (лучевой), но не безопасный, характер разрушения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер винилацетата.
полимер стирола.