Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
электродвижущаяся сила, возникающая в замкнутой электрической сети, составленной из последовательно соединенных различных металлов или полупроводников, в связи с тем, что их спаи находятся при разных температурах; на измерении термо-э.д.с. основано определение температуры с помощью термопары.
В статье приведены результаты исследования диаграммы состояния системы Gd 5Bi 3 Er 5Bi 3. Установлено, что концентрационная зависимость удельного электросопротивления и термоэлектродвижущая сила (термо-э.д.с.) твёрдых растворов Gd 5-xEr xBi 3 (х= 0.5-4.5) коррелирует с диаграммой состояния системы Gd 5Bi 3 Er 5Bi 3. Кристаллохимические исследования показали, что твёрдые растворы системы Gd 5Bi 3 Er 5Bi 3 кристаллизуются в ромбической структуре типа Y 5Bi 3.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.