Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
электродвижущаяся сила, возникающая в замкнутой электрической сети, составленной из последовательно соединенных различных металлов или полупроводников, в связи с тем, что их спаи находятся при разных температурах; на измерении термо-э.д.с. основано определение температуры с помощью термопары.
В статье приведены результаты исследования диаграммы состояния системы Gd 5Bi 3 Er 5Bi 3. Установлено, что концентрационная зависимость удельного электросопротивления и термоэлектродвижущая сила (термо-э.д.с.) твёрдых растворов Gd 5-xEr xBi 3 (х= 0.5-4.5) коррелирует с диаграммой состояния системы Gd 5Bi 3 Er 5Bi 3. Кристаллохимические исследования показали, что твёрдые растворы системы Gd 5Bi 3 Er 5Bi 3 кристаллизуются в ромбической структуре типа Y 5Bi 3.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве