Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Теоретическая температура кристаллизации
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
температура, при которой свободная энергия жидкого и твёрдого состояния одинакова.
Научные статьи на тему «Теоретическая температура кристаллизации»
Чем отличаются полезные ископаемые и минеральные ресурсы
Их запасы спрогнозированы и теоретически подсчитаны....
магматические — сформировавшиеся на небольшой глубине или на поверхности в результате застывания и кристаллизации...
обломков разных пород;
метаморфические — породы, измененные под воздействием сильного давления, высоких температур
Статья от экспертов
Влияние фазового состояния частиц металлов на условия зажигания пожароопасных жидкостей
Выполнено теоретическое исследование основных закономерностей процесса зажигания типичной пожароопасной жидкости керосина одиночными "горячими" металлическими частицами. Установлено влияние кристаллизации частиц на характеристики зажигания жидкого топлива. Определены минимальные значения температур частиц, при которых влияние кристаллизации источника зажигания несущественно.
Creative Commons
Научный журнал
Диаграмма состояния системы Cu-Ni
Такие диаграммы имеют большое практическое и теоретическое значение, потому что изучение сплава начинается...
Точки начала процесса кристаллизации – это точки ликвидуса, а конца кристаллизации - точки солидуса....
сплава из жидкого состояния ниже точки 1, которая лежит на точке линии ликвидуса, начинается процесс кристаллизации...
тепловым эффектом, фазовые превращения могут быть выражены уравнением:
$Ж(t1-t2)=>a2.$
После окончания кристаллизации...
Однако, в процессе кристаллизации химический состав компонентов систем медь-никель постоянно изменяется
Статья от экспертов
Исследование распределения температуры в пленке TiO2 при импульсном лазерном нагреве
Проведены теоретические исследования распределения температуры при лазерном нагреве пленки прекурсора TiO2 на поверхности FTO/стеклянной подложки. Моделирование осуществлялось на основе численного решения уравнения теплопроводности в программе Matlab для определения плотности энергии лазерного излучения необходимой для кристаллизации TiO2. Показано, что на поверхности прекурсора TiO2 температура достигает максимального значения в момент времени 133 нс при Гауссовой временной форме лазерного импульса. Оптимальная плотность энергии для кристаллизации пленки прекурсора TiO2 при использовании наносекундной длительности импульса составляет 1,3-1,6 Дж/см2, когда температура по толщине пленки соответствует 400-500 °C. Полученные результаты моделирования согласуются с экспериментальными исследованиями.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Науглероживаниe (процесс)
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
Расширение тепловое
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.
- Температура кристаллизации, точка кристаллизации
- Температура начала кристаллизации нефтепродукта
- Кристаллизация
- Кристаллизация белка
- Вторичная кристаллизация
- Кристаллизация металлов
- Скорость кристаллизации
- Текстура кристаллизации
- Теплота кристаллизации
- Центр кристаллизации
- Первичная кристаллизация
- Температура
- Теоретический анализ
- Теоретическая геральдика
- Теоретическое музееведение
- Теоретическое моделирование
- Теоретическая прочность
- Теоретическая метрология
- Теоретическая плотность
- Теоретический торец
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
