Гипервысокие частоты
радиочастоты 300-3000 ггц.
конструкция силового полупроводникового прибора, представляющая собой цилиндрический полый изолятор, в торцевых частях которого имеются два основания, между которыми располагается полупроводниковая структура; основания корпуса служат как для электрического подключения прибора, так и для контакта корпуса с охладителем.
радиочастоты 300-3000 ггц.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
привести к синхронности.