Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
конструкция с прижимными контактами электродов полупроводниковой структуры к деталям корпуса прибора.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
конденсатор, допускающий смену полярности напряжения на его выводах.