Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
поликонденсация, при которой участвует один или несколько образцов мономера; полимеры, полученные путем конденсационной полимеризации двух компонентов (или «мономеров»), каждый из которых содержит две идентичные реактивные группы, могут быть легко представлены как взаимодействие на основе 1:1 для получения «скрытого мономера», гомополимеризация которого дает окончательный материал; такой полимер содержит единственное составное повторяющееся звено и таким образом может быть назван гомополимером. Обратите внимение, что это правило применимо только в случаях, в которых соотношение исходных компонентов составляет 1:1; полиэтилентерефталат и полиамид являются примерами подобных полимеров.
Концепция блоков связей использована для анализа кинетики сополиконденсации и структуры сополимеров. Показано, что этот подход обладает существенными преимуществами по сравнению с хорошо известными кинетическим и статистическим, поскольку позволяет (в отличие от первого) рассчитывать параметры структуры гель-фракции и (в отличие от второго) физически обоснован. Дан алгоритм проведения кинетических расчетов с использованием представления о блоках связей.
Изучена сополиконденсация α,ω-дигидроксиолигодиметилсилоксанов различной молекулярной массы с метилтриацетоксисиланом. Показано, что сополиконденсация высокомолекулярного α,ω-дигидрокси-олигодиметилсилоксана с метилтриацетоксисиланом чувствительна к влаге воздуха. Для сополиконден-сации низкомолекулярного α,ω-дигидроксиолигодиметилсилоксана с метилтриацетоксисиланом определена область гелеобразования продуктов сополиконденсации, которая соответствует мольному отношению указанных соединений, равному 0.9-2.0 (соотношение силанольных и ацетоксисилильных функциональных групп 3.0 : (1.8-4.0)), и близка к рассчитанной по модифицированной формуле Флори.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве